环球晶 持续扩大化合物半导体布局，明年底前 SiC 基板月产能可望冲上 1 万片，等同连续 2 年翻倍增；据悉，环球晶已陆续取得车用 IDM 厂认证，除意法半导体外，也拿到英飞凌等欧洲车用半导体大厂订单，随着客户需求更明确，环球晶因此积极扩充 SiC 产能，抢食相关商机。

环球晶 2 月宣布，今年至 2024 年总资本支出将达新台币 1000 亿元，将进行多项现有厂区及新厂扩产计划，除既有产品线外，扩充产能也包括 SiC 晶圆 (含 SiC Epi)、GaN on Si 等化合物半导体。

业界人士指出，目前环球晶化合物半导体产能规模相对较小，虽然投入化合物半导体的资金成本，较硅基半导体高，但只要取得客户认证与订单，对环球晶而言，扩多少产能都不是太大问题。

环球晶目前 6 吋 SiC 基板月产能约 2000 片，由于客户需求强劲，今年 6 吋 SiC 基板可望扩增至 5000 片，期望明年底前冲上 1 万片，等同连续 2 年成长幅度超过 1 倍以上。

环球晶董事长徐秀兰先前就曾透露，SiC 需求比预期强劲，发展速度需更快、规模也要更大，持续加快产能扩增与送样进度，并看好在电动车需求、各国内燃机销售禁令等带动下，产能扩充速度快，每年产值年复合成长率 (CAGR) 会很大。

随着电动车市场爆发，对高频、高功率、高电压、高温特性的第三代半导体材料需求殷切，但目前全球 SiC 晶圆年产能仅约 40-60 万片，且主流尺寸为 6 吋，每片晶圆能制造的芯片数量不大，仍远不能满足终端需求。