设计出问题？高通旗舰芯片仍存高耗能问题 股价挫5%（图：AFP）
高通 (QCOM-US) 因三星 4 奈米制程良率出现问题导致 Snapdragon 8 Gen 1 效能表现不佳，并将强化版芯片转单台积电 (2330-TW) ，目前强化版 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 虽然良率明显改善，但仍出现高功耗的问题，高通恐怕只能被迫降频，牺牲效能。

南韩科技论坛 Meeco 爆料者表示，交由台积电代工的 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 中 Cortex X2 核心是影响耗能的罪魁祸首，高频时会出现高耗能现象。

强化版在出现高耗能问题传出后，高通周三股价下跌 5.18%，报每股 152.73 美元，今年迄今高通总计下跌 17.98%。

市场先前认为，高通新款芯片出现高耗能状况主要源自三星良率问题，如今高耗能部分可能与公司 ARM 设计架构有关。为了解决高耗能问题，高通增强版恐怕必须降频，这将使 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 与 Snapdragon 8 Gen 1 之间效能差异可能变得更小。

市场传言 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 很可能在今年 6 月推出，目前一加 (OnePlus) 10 Ultra、华为 Mate 50、小米 Mix Fold 2 与小米 Xiaomi 12 Ultra 都可能采用。