工研院携手台积电 开发前瞻磁性存储器技术。(图：AFP)

工研院6月15日宣布，与晶圆代工龙头台积电合作，开发前瞻的自旋轨道扭矩磁性存储器阵列芯片，未来可整合成先进制程嵌入式存储器，应用再人工智能、车用电子、高效能运算芯片等领域。

工研院电子与光电系统所所长张世杰表示，MRAM 有媲美静态随机存取存储器的写入、读取速度，兼具快闪存储器非挥发性，近年来已成为半导体先进制程、下世代存储器与运算的新星。

张世杰指出，存储器若在高写入速度的前提下，使用的电压电流越小，则代表效率越高。工研院携手台积电共同发表具备高写入效率与低写入电压 SOT-MRAM 技术，达成 0.4 奈秒高速写入、7 兆次读写的高耐受度，比比利时微电子研究中心多 100 倍，还有超过 10 年资料储存能力。

另一方面，工研院也携手国立阳明交通大学研发出工作温度横跨近 400 度的新兴磁性存储器技术，优化自旋转移矩磁性存储器的多层膜与元件，具备提高写入速度、缩短延迟、降低写入电流与增高使用次数等特色，可应用在量子计算机、航天领域等前瞻应用与产业。