前几年美国就掀起对我国芯片行业的全面对抗，在半导体等相关产业对我国无数展开了全面的封锁与制裁，高端芯片的自主制造，就一直是网络上讨论的热点话题之一。

虽然很多人对芯片类型分不清，也不知道从沙子到芯片需要多少复杂工序才可以制成芯片，除了光刻机配套设备，还有哪些？更分不清光刻机光源波长与芯片制程的关系，但是这都不影响网络讨论的热度。

甚至如果你问到我国的什么军事装备，一定会有人站出来问，国产芯片解决了吗？而7纳米乃至5纳米这样先进制程的突破就更是长期的讨论热点了。这两天就有国产芯片相关的好消息传出，中芯国际7纳米芯片已量产长达一年，外媒则评论「超英赶美」无视美国的制裁！

西方某科技媒体通过拆解一部定制主机发现，这款设备当中的全部ASIC芯片，都是由我国企业中芯国际代工生产的，采用7纳米制程制造；而按照他们的说法，这款设备从去年7月就已经进入了量产出货的状态，这也说明最晚在去年，我国就已经全面掌握了成熟的7纳米ASIC芯片的量产工艺。

这里所谓的ASIC芯片指的是一些定制的具有专用用途的计算机当中使用的运算芯片，相对于一般说的电脑的CPUGPU或者手机的SOC这样的通用芯片而言，有共通性但也不完全相同。

以量产7纳米为节点来计算，目前制程上最领先的台积电，是17年上半年开始转入商业试量产阶段，换句话说目前中芯国际在先进制程上与领先巨头的差距，还有差不多3代整整4年的差距，已经追近了相当多的距离；按照这种状态计算，中芯已经是台积电三星和英特尔之后。

所以我国中芯国际的7纳米先进制程已经转入商用阶段的实际量产，并且已经下线出售了数量不少的芯片，宣告了咱们国家的半导体工业在先进制程上做到了更进一步，这则消息这两天也成了西方的关注重点之一。

但是不管怎么说，能解决7纳米ASIC芯片的生产，那量产各种通用芯片或者FPGA芯片也一样不是问题，说我国在先进制程上突破了7纳米工艺，进入准一流阶段，开始稳步向领先水平的5纳米以及更高级冲击已经指日可待了。也正是因此，大量西方媒体，这两天都在对我国半导体产业在不声不响当中取得的突破感到了震惊，感叹中国在美国如此严苛的制裁下还能如此快的发展自己的芯片产业，实在是太超乎想象了。

毕竟按照美国人的想法，前两年通过制裁，断供，限制技术交流等手段，应该已经有效的限制了我国在半导体工业上的发展，将中国的技术水平锁死在了相对落后的水平上，但没想到这反而促进了我国半导体工业的突破；之前交由台湾省的台积电或者三星等厂商代工的一些芯片因为制裁的原因回流到国内代工，带来了大需求的同时也带来了资金，促进了我国在芯片制造上的研发突破，毕竟半导体产业，还是要靠市场盈利来推动研发制造这么循环的。

中国晶圆代工龙头中芯国际去年才传出14纳米制程良率升95%，已经追上台积电，并且产能满载排至2022年。不过，现在看来台面下的中芯国际也在偷偷发展技术，也已经开始交付7纳米制程芯片，逼近全球第三大晶圆代工厂的地位。

其实在2020年，中芯国际当时的CEO梁孟松曾经提到，中芯国际28nm、14nm、12nm及n+1等技术均已进入规模量产，7nm技术的开发也已完成，该年4月就可以马上进入风险量产。5nm和3nm的最关键、也是最艰巨的8大项技术也已经有序展开， 只待EUV曝光机的到来，就可以进入全面开发阶段。不过，后来就发生了美国禁令。这些先进制程的技术外面认为应该也已经停摆。

不过，现在看来先前梁孟松讲的话并没有落空。

这款产品从2021年7月起就开始出货，等于已经在一年前就开始了。并且这个技术与台积电、英特尔7纳米制程技术相同，不需要使用极紫外光（EUV）微影设备。

而且目前欧美的晶圆代工厂中，目前最先进制程技术也只到格罗方德的12纳米制程，因此中芯国际已真正超英赶美，快速逼近格罗方德全球第三大晶圆代工厂的地位。