全部商品分类专家预计三星3nm良品率还需一段时间方可盈利
- 发布日期: 2022-07-29 浏览次数: 1315
内容
1、专家预计三星3nm良品率还需一段时间方可盈利
目前三星所代工的首批3nm芯片，已在本月25日开始发货。
虽然三星电子采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺，在业内率先量产，也已开始出货，但有相关人士透露，他们需要提高制程工艺的良品率，并且这是当前的主要任务，况且提高到80%-90%,需要花费很长时间才能达到这一水平，但目前还有很大的提升空间。
但如果良品率不乐观，可能就会影响到他们这一工艺的市场前景，能否借此缩小与台积电的差距还存在变数。有媒体认为三星电子不会给台积电带来威胁。
2、联发科与Intel合作 台积电表示：不影响与联发科合作
Intel去年宣布重返晶圆代工市场，成立了IFS部门想要跟台积电、三星抢市场，前两天联发科就宣布跟Intel达成了合作，用上了后者的16nm制程来代工部分芯片。
考虑到是台积电的主要客户之一，此举被视为联发科也寻找了备胎，要将代工订单转移到别的公司，业界预期台积电会是受影响最大的。
台积电并没有正面回应联发科与Intel的合作，只是强调联发科是台积电的长期客户，并且在先进制程上有紧密的伙伴关系，不会因此影响双方的业务往来。
根据媒体曝光联发科与Intel合作的细节，Intel还为联发科专门开发出全新的「Intel 16」制程，也就是Intel 16nm，基于22nm FFL改进而来，这是一款非常成熟的制程了。
联发科的16奈米芯片预计会在2023年初开始量产，虽然细节没有公布，但16奈米制程基本上应该是不会用在联发科的天玑5G处理器上，这部分依然要依赖台积电的先进制程，这也是台积电表示不受影响的关键。
行业动态
3、LG Display：2023年前停止为韩国市场生产LCD电视面板 7月28日消息，据国外媒体报道，LG Display决定在2023年前停止为韩国市场生产LCD电视面板。 据悉，LG Display公布了2022年第二季度的财务业绩，第二季度销售收入达到5.6万亿韩元（约 288.4 亿元人民币），营业亏损达到4883亿韩元（约 25.15 亿元人民币）。销售额同比下降19.5% ，盈利自2020年第二季度以来两年来首次出现下滑。 LGD表示，亏损是由于电视和IT显示器需求疲软，加上供应链问题和中国的防疫物流政策，出货量未能达到目标。公司计划继续并减少其液晶电视业务，停止为韩国电视市场生产低利润的LCD面板；中国LCD工厂也决定将部分电视面板生产线转换为IT设备。 据悉，公司将把重点放在OLED电视面板和汽车市场，并将致力于开拓透明和游戏OLED的新市场。 4、鸿海与印度Vedanta合资新厂选址确定 主攻半导体以及面板等 外媒报道称，鸿海将与印度大型跨国集团Vedanta合资在印度西部马哈拉什特拉省（Maharashtra）普恩（Pune）市附近的塔莱加（Talegaon）设厂，主要投资半导体以及面板等项目，产线包括面板、半导体、以及封装测试等。 据悉，相关投资规模预计超过1.6兆印度卢比（约合200亿美元），上述投资计划中，其中，约1兆印度卢比用于面板制造，6300亿印度卢比用于半导体制造，380亿印度卢比用于半导体后段封装与测试。 此前2月中旬，鸿海曾与Vedanta签署合作备忘录，双方拟共同出资成立合资公司，在印度制造半导体。 5、台积电亚利桑那州晶圆21厂上梁 三星启动德州泰勒新厂招募计划 据《经济日报》报道，台积电于7月28日在官方linkedin帐号刊登美国亚利桑那州新厂晶圆21厂上梁消息。这意味着该工厂的基础设施全部完工，即将开始安装设备进行调试。 台积电在2020年就宣布要在美国亚利桑那州厂建立5nm晶圆厂。该工厂于2021年4月动工兴建，预计2024年量产，月产能2万片。 除了台积电外，三星在美新厂也有了新进展。据了解，三星正式启动美国新厂招募计划。三星德州泰勒新厂目前人力招募暂时挂在奥斯汀厂下，已开始对外释出空调管线相关经理职缺。 三星泰勒新厂是三星电子继奥斯汀之后的第二个美国生产据点，预定2024年下半年投产，并即将动工。 6、浙江大学杭州国际科创中心50mm厚6英寸碳化硅单晶生长成功 近日，据浙大杭州科创中心消息，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室成功生长出厚度达到50mm的6英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着，碳化硅衬底成本有望大幅降低，半导体碳化硅产业发展或将迎来发展新契机。 该重要进展意味着，碳化硅衬底成本有望大幅降低。目前，国内碳化硅单晶的直径已经普遍能达到6英寸，但其厚度通常在~20-30 mm之间，导致一个碳化硅晶锭切片所获得的碳化硅衬底片的数量相当有限。 50mm厚度的实现，一方面节约了昂贵的碳化硅籽晶的用量，另一方面使一个碳化硅单晶锭切片所获得的碳化硅衬底片数量能够翻倍，所以能够大幅降低碳化硅衬底的成本。 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院紧紧围绕国家重大战略需求和浙江省战略性新兴产业发展布局，目前已获批浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室，研究院由杨德仁院士担任首席科学家，学术委员会主任由郑有炓院士担任，院长由盛况教授担任，整合浙江大学电气学院、材料学院、信电学院以及上下游相关企业力量，着力打造第三代半导体研发、制造、应用和测试评价全产业链的新格局。 2020年11月， 浙大杭州科创中心先进半导体研究院首炉碳化硅单晶成功“出炉”， 2021年4月，浙大杭州科创中心研制出首批碳化硅晶圆，标志着科创中心拥有了在碳化硅晶圆加工方面开展高水平研究的能力。
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