近日，据国家知识产权局官网消息，中芯国际专利名称为“晶圆的清洗方法”的法律状态为已获授权，公开号为CN111584340B。

图片来源：国家知识产权局官网截图

中芯国际专利指出，目前在半导体器件的的制造工艺中，经常会在具有叠层结构的半导体器件表面上形成凸凹不平的结构，通常使用化学机械研磨(CMP)工艺平整凸凹不平的表面。化学机械研磨亦称为化学机械抛光，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。化学机械研磨工艺中，一般是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上，再加一定的压力，使用含有抛光颗粒(例如SiO2颗粒)的研磨液(slurry)，在化学腐蚀与磨削移除的交互作用下进行平坦化。在化学机械研磨工艺之后，研磨液中的颗粒成为缺陷微粒存在于晶圆表面，因此必须从晶圆表面完全除去才能保持半导体器件的可靠性和生产线的清洁度。鉴于此，实有必要提出一种晶圆的清洗方法，以提升清洗效果，从而提高产品的良率。